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IXTH 75N15
IXTT 75N15
180
160
140
120
Fig. 7. Input Adm ittance
80
70
60
50
Fig. 8. Transconductance
100
80
40
T J = -40oC
25oC
125oC
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
30
60
90
120
150
180
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
60
9
8
7
6
5
4
3
V DS = 75V
I D = 37.5A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120 140
160
180
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
C iss
100
100μs
1ms
1000
100
C oss
C rss
10
1
T J = 150 o C
T C = 25 o C
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,381,025
6,162,665
6,306,728 B1 6,534,343
6,683,344
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,486,715
6,259,123 B1 6,404,065 B1
6,583,505
6,710,405B2
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